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元件参数资料
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参数目录43311
> IPD30N10S3L-34 MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
型号:
IPD30N10S3L-34
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IPD30N10S3L-34 PDF
产品目录绘图
Mosfets TO-252-3-11, TO-252-3
标准包装
1
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
31 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.4V @ 29µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1976pF @ 25V
功率 - 最大
57W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
PG-TO252-3
包装
标准包装
产品目录页面
1616 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
IPD30N10S3L-34DKR
查看IPD30N10S3L-34代理商
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